中國(guó)濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)概述
基本概念及分類
濺射靶材的定義
濺射靶材是指一種用濺射沉積或薄膜沉積技術(shù)制造薄膜的材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料。濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。
濺射靶材的分類
濺射靶材種類多樣，下游應(yīng)用廣泛。從分類上來(lái)看，濺射靶材主要按形狀、化學(xué)成分、應(yīng)用領(lǐng)域這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)分類。形狀分類中，主要分為長(zhǎng)靶、方靶、圓靶。在化學(xué)成分分類中，主要分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材；在應(yīng)用領(lǐng)域分類中，主要分為半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、工具改性靶材、電子器件靶材等。
靶材材料分類及應(yīng)用性能要求
?濺射靶材按照材料分類：是指濺射靶材按照材料材質(zhì)進(jìn)行分類，劃分為金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材三大材料種類。其中在半導(dǎo)體領(lǐng)域、金屬及合金靶材應(yīng)用較多，如超高純度鋁靶材、鈦靶材等；陶瓷靶材在平板顯示應(yīng)用較多，如ITO靶材用作ITO導(dǎo)電玻璃及觸控屏電極平板等。
?濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域性能要求：是指濺射靶材按照下游應(yīng)用領(lǐng)域不同的要求進(jìn)行劃分，一般常用于半導(dǎo)體、平面顯示器、太陽(yáng)能電池領(lǐng)域較多。在半導(dǎo)體領(lǐng)域芯片占據(jù)較大濺射靶材份額，受終端消費(fèi)市場(chǎng)的影響，濺射靶材需求增加。半導(dǎo)體芯片技術(shù)要求最高，要求濺射靶材超高純度金屬（6N，≥99.9999%）、高精度尺寸、高集成度等；平面顯示器對(duì)于濺射靶材的純度和技術(shù)要求僅次于半導(dǎo)體，要求濺射靶材高純度金屬（4N，≥99.99%）、靶材面積要求大、均勻程度要求高等；太陽(yáng)能電池要求同樣次于半導(dǎo)體，要求濺射靶材高純度金屬（4N，≥99.99%）等。
靶材形狀對(duì)比及性能指標(biāo)
濺射靶材形狀對(duì)比 濺射靶材根據(jù)形狀可分為平面靶材與旋轉(zhuǎn)靶材。平面靶材是具有一定厚度的長(zhǎng)靶、方靶或圓靶等，由靶坯和背板綁定而成，濺射時(shí)靶坯和基板平行相對(duì)，在靶坯與基板之間形成電磁場(chǎng)。旋轉(zhuǎn)靶材為管狀靶材，濺射時(shí)向基板方向形成電磁場(chǎng)。平面靶材通用性較強(qiáng)，但利用率較低；旋轉(zhuǎn)靶材利用率較高，但鍍膜均勻性差。
濺射靶材的性能控制指標(biāo) 濺射靶材的性能指標(biāo)包括雜質(zhì)與純度、致密度、成分和組織、晶粒尺寸四大方面。在雜質(zhì)與純度方面，靶材的純度影響薄膜的均勻性，靶材雜質(zhì)過(guò)多會(huì)在晶圓表面留下微粒，導(dǎo)致互聯(lián)線短路或斷路；在致密度方面，高致密度靶材導(dǎo)電、導(dǎo)熱性好、透光率高，更適合應(yīng)用；在成分和組織方面，靶材成分和組織均勻，保證靶材鍍膜質(zhì)量的穩(wěn)定；在晶粒尺寸方面，靶材的晶粒尺寸越細(xì)小，濺射速率越快。
全球?yàn)R射靶材行業(yè)發(fā)展歷程
萌芽走向成熟階段
濺射靶材的發(fā)展歷程從1842年至今，從發(fā)現(xiàn)濺射現(xiàn)象到濺射技術(shù)應(yīng)用于電子與信息等行業(yè)，從萌芽階段走向成熟階段。濺射現(xiàn)象發(fā)源于1842年羅格夫的實(shí)驗(yàn)室，后來(lái)在19世紀(jì)中后，對(duì)于濺射原理的認(rèn)知較為缺乏以及相關(guān)技術(shù)發(fā)展緩慢，濺射靶材進(jìn)入最初的萌芽階段。在20世紀(jì)初期，濺射技術(shù)需要化學(xué)活性較強(qiáng)的材料。在20世紀(jì)70年代，磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)，應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)與小型生產(chǎn)環(huán)節(jié)。自20世紀(jì)80年代，電子與信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，濺射技術(shù)進(jìn)入工業(yè)化領(lǐng)域大量生產(chǎn)應(yīng)用，進(jìn)入快速發(fā)展階段。21世紀(jì)以來(lái)，新型濺射技術(shù)出現(xiàn)，高純?yōu)R射靶材成為應(yīng)用領(lǐng)域最新材料，濺射靶材進(jìn)入成熟階段。
中國(guó)濺射靶材行業(yè)發(fā)展歷程
核心技術(shù)突破，國(guó)產(chǎn)化速度加快
濺射靶材是一種用于制造薄膜材料的重要材料，對(duì)電子與信息產(chǎn)業(yè)有著重要的作用。我國(guó)濺射靶材行業(yè)起步晚，長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，在國(guó)家相關(guān)政策支持下，濺射靶材快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)化速度加快。在20世紀(jì)80年代初，我國(guó)開(kāi)始引入濺射鍍膜技術(shù)，應(yīng)用于相關(guān)玻璃制品中。20世紀(jì)90年代，我國(guó)開(kāi)始研究濺射靶材的國(guó)產(chǎn)化技術(shù)。在21世紀(jì)初，我國(guó)濺射靶材產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展階段，行業(yè)內(nèi)優(yōu)秀企業(yè)增多。在2005年，第一塊國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體工業(yè)應(yīng)用濺射靶材在江豐電子的生產(chǎn)線上誕生，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)濺射靶材工藝的空白。由于我國(guó)濺射靶材長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，國(guó)家出臺(tái)相應(yīng)政策支持濺射靶材國(guó)產(chǎn)化。在2020年，我國(guó)工程院院士材料學(xué)專家何季麟帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功研制出高性能ITO濺射靶材，實(shí)現(xiàn)了高端ITO靶材從0到1的突破。同年重慶大學(xué)劉慶教授團(tuán)隊(duì)研制超高純金屬靶材項(xiàng)目，讓我國(guó)芯片擁有高端靶材。核心技術(shù)的突破加快我國(guó)濺射靶材行業(yè)發(fā)展，促進(jìn)我國(guó)成為全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的重要力量。
金屬與合金濺射靶材
濺射靶材金屬與合金分類 金屬靶材銅靶、鋁靶應(yīng)用于集成電路。在集成電路的導(dǎo)電層，金屬導(dǎo)電性排名為銀>銅>金>鋁>鈣>鈹，銅電阻率較低，但鋁較為便宜；金屬靶材鉭靶、鈦靶、鉬靶應(yīng)用于集成電路、平板顯示器、薄膜太陽(yáng)能電池。在阻擋層，阻擋金屬與半導(dǎo)體之間的電子遷徙和金屬擴(kuò)散；金屬靶材鉻靶、鎳靶、鈷靶應(yīng)用于磁記錄媒體。在磁記錄層，讀取數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)磁記錄層的法拉第效應(yīng)，將磁記錄信息轉(zhuǎn)為電信號(hào)，再轉(zhuǎn)化為物理信號(hào)。合金靶材集成電路、平板顯示器、薄膜太陽(yáng)能電池，在阻擋層，合金靶材性質(zhì)類似金屬靶材，合金較為便宜。
以金屬靶材鋁靶材為例鋁靶材主要應(yīng)用產(chǎn)品為超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池。其中集成電路芯片要求鋁金屬99.9995%（5N5）以上；平板顯示器要求鋁金屬99.999%（5N）以上；太陽(yáng)能電池要求鋁金屬99.995%（4N5）以上。
陶瓷濺射靶材
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中國(guó)濺射靶材行業(yè)核心技術(shù)
濺射靶材生產(chǎn)核心技術(shù)
高純?yōu)R射靶材核心技術(shù)
濺射靶材的原理是利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集而形成高速離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面。
?超高純金屬控制和提純技術(shù)：用于前端采集的信息放在后端存儲(chǔ)減少靶材雜質(zhì)，提高材料導(dǎo)電性能，使互聯(lián)線不易短路或斷路。
?晶粒晶向控制技術(shù)：促進(jìn)各晶粒的大小和排列方向相同，保證濺射成膜的均勻性和濺射速度。
?異種金屬大面積焊接技術(shù)：連接靶胚和背板，起到靶材的固定作用。
?金屬的精密加工及特殊處理技術(shù)：利用精密機(jī)臺(tái)使靶材的尺寸和形狀與要鍍膜的基片匹配。
?靶材的清洗包裝技術(shù)：由于靶材會(huì)直接用于晶圓生產(chǎn)，所以對(duì)潔凈程度要求極高，促進(jìn)靶材潔凈程度滿足生產(chǎn)要求。
晶粒晶向控制技術(shù)
晶粒晶向技術(shù)是指通過(guò)對(duì)金屬材料進(jìn)行晶粒細(xì)化、晶粒取向控制和晶粒取向優(yōu)化，來(lái)提高金屬材料的力學(xué)性能、物理性能和化學(xué)性能的一種技術(shù)。它主要利用金屬材料的晶粒結(jié)構(gòu)和晶向?qū)Σ牧闲阅艿挠绊懀ㄟ^(guò)控制晶粒的大小、形狀和取向，使材料具有更好的綜合性能。該技術(shù)可以應(yīng)用于各種金屬材料，如鋁、銅、鈦、鎳等，在航空航天、汽車、電子、能源等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
晶粒晶向技術(shù) 是指通過(guò)對(duì)金屬材料進(jìn)行晶粒細(xì)化、晶粒取向控制和晶粒取向優(yōu)化，來(lái)提高金屬材料的力學(xué)性能、物理性能和化學(xué)性能的一種技術(shù)。它主要利用金屬材料的晶粒結(jié)構(gòu)和晶向?qū)Σ牧闲阅艿挠绊?，通過(guò)控制晶粒的大小、形狀和取向，使材料具有更好的綜合性能。該技術(shù)可以應(yīng)用于各種金屬材料，如鋁、銅、鈦、鎳等，在航空航天、汽車、電子、能源等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
濺射靶材控制晶粒的大小方法 包括金屬型澆注晶粒控制、薄壁件晶?？刂?、厚大件的表面晶?？刂?、澆注溫度控制四類方法。由于靶材濺射時(shí)，靶材中的原子容易沿著密排面方向?yàn)R射出來(lái)，材料的結(jié)晶方向?qū)R射速率與濺射膜層的厚度均勻性有較大影響，因此，如何控制濺射靶材的晶粒，并提高其致密度以解決濺射過(guò)程中的微粒飛濺問(wèn)題是濺射靶材的研發(fā)關(guān)鍵。最終需根據(jù)靶材的組織結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，采用不同的成型方法，進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理工藝等方法加以控制。
濺射靶材鍍膜技術(shù)
濺射靶材綁定技術(shù)
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中國(guó)濺射靶材行業(yè)生產(chǎn)工藝
靶材純化
金屬靶材制備的重要環(huán)節(jié)是材料純化。靶材純度要求在濺射靶材中尤為重要，靶材純化需要降低材料所含雜質(zhì)，確保靶材表面平整。超高純度以及高純度的金屬材料是制造高純?yōu)R射靶材的基本要求，以半導(dǎo)體芯片為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到要求的電性能，并且在濺射過(guò)程中容易形成微粒，導(dǎo)致電路短路，嚴(yán)重影響薄膜的性能；以太陽(yáng)能薄膜電池為例，太陽(yáng)能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99.99%（4N）以上，僅次于半導(dǎo)體用靶材；以平面顯示器為例，平面顯示一般要求靶材純度達(dá)99.999%（5N）以上，其工藝難度僅在半導(dǎo)體靶材之下，我國(guó)是全球重要的LCD生產(chǎn)大國(guó)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，人工智能與可穿戴設(shè)備市場(chǎng)對(duì)于濺射靶材的需要越來(lái)越大，對(duì)于靶材純化要求越來(lái)越高。
靶材純化的定義
靶材純化是指提高金屬材料的純度，用于濺射靶材的制造要求。新型的物理氣相鍍膜方式，其純度要求非常高。靶材純化是靶材產(chǎn)業(yè)鏈的必要環(huán)節(jié)，靶材常見(jiàn)的純化方法包括電解精煉提純和真空感應(yīng)熔煉制備。材料純化過(guò)程中主要方法包括化學(xué)提純化和物理提純法。
?化學(xué)提純法：有兩種分類包括濕法提純與火法提純。濕法提純包括離子交換、溶劑萃取、置換沉淀和電解精煉等；火法提純包括氯化精餾、碘化熱分解、金屬有機(jī)物熱分解、歧化分解、熔析精煉和熔鹽電解等。行業(yè)內(nèi)應(yīng)用最廣的是濕法提純方法中的電解精煉提純，原理是用稀土粗金屬作為可溶陽(yáng)極，用特制的純稀土金屬做陰極，選用合適的電解質(zhì)進(jìn)行電解的一種方法。
?物理提純法：是指利用物理方法中的主體金屬與雜質(zhì)物理性質(zhì)差異大小，采用蒸發(fā)、凝固、結(jié)晶、擴(kuò)散、電遷移等去除雜質(zhì)。提純方法包括區(qū)域熔融法、偏析提純法、真空蒸餾法、單晶法和電遷移法，這些方法需要在真空條件下進(jìn)行，一些吸氣性很強(qiáng)的金屬需要在高真空和超高真空條件下完成提純。
濺射靶材生產(chǎn)工藝分類
濺射靶材生產(chǎn)工藝分類 是指按照制造工藝進(jìn)行分類，具體分為兩類：粉末冶金法與熔融鑄造法。粉末冶金法包括熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法；熔融鑄造法包括真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉。在靶材制備過(guò)程中，根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的不同，通過(guò)選擇不同的熱處理工藝及后續(xù)成型加工保證靶材的質(zhì)量。
熔煉鑄造法是目前行業(yè)內(nèi)主流高純金屬濺射靶材的制造工藝。以高純度鋁靶工藝流程為例：將超高純鋁鑄錠進(jìn)行合金成分檢查、不純物檢查，之后切斷后塑性加工，熱處理之后進(jìn)入再結(jié)晶過(guò)程。后進(jìn)行品粒尺寸檢查、品相取向檢查，檢查無(wú)誤后進(jìn)行焊接，之后進(jìn)行焊接強(qiáng)度檢查、焊接結(jié)合率檢查，之后進(jìn)行機(jī)械加工。進(jìn)入檢測(cè)環(huán)節(jié)，尺寸檢查、成分檢查、外觀檢查。最后進(jìn)行清洗、干燥、包裝。
熔煉鑄造法與粉末燒結(jié)法
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中國(guó)濺射靶材行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景
半導(dǎo)體：芯片（1/2）
半導(dǎo)體靶材種類和應(yīng)用說(shuō)明 半導(dǎo)體靶材按照芯片不同適配層進(jìn)行分類，各類靶材于不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)之內(nèi)搭配使用，具體導(dǎo)電層包括銅靶、鋁靶；阻擋層包括鉭靶、鈦靶；接觸層包括鎳鉑合金靶、鈷靶、鎢鈦合金靶。導(dǎo)電層需要適配電阻較低的靶材，提高芯片集成度的提高；接觸層需要電子遷移率低的靶材，在芯片表面的硅層生成一層薄膜，起到接觸作用；阻擋層需要高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物。
半導(dǎo)體芯片濺射靶材原理 是指利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，半導(dǎo)體芯片濺射后，微型晶體管之間形成的金屬導(dǎo)線，有利于制備不同的金屬膜，提升半導(dǎo)體芯片的性能和穩(wěn)定性。
光伏：電池
平板顯示：LCD與OLED
中國(guó)濺射靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈
以高純靶材為基，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
濺射靶材是安裝在真空鍍膜機(jī)上鍍膜使用，靶材質(zhì)量好壞對(duì)薄膜性能起到了至關(guān)重要的作用。濺射靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游為材料環(huán)節(jié)，主要包括金屬、非金屬、合金、化合物等；中游為濺射靶材生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、光伏、信息存儲(chǔ)、光學(xué)應(yīng)用等領(lǐng)域。靶材制造流程可以分為金屬提純、靶材制造、鍍膜和終端應(yīng)用四個(gè)環(huán)節(jié)。首先是金屬提純，利用原材料鋁、銅等金屬以金屬提純方式形成高純金屬，作為靶材制造的原材料，之后將高純金屬通過(guò)加工形成濺射靶材，后進(jìn)行濺射鍍膜。以濺射鍍膜為例，以高速離子束流轟擊靶坯，濺射出靶坯表面原子，沉積于基板從而制成電子薄膜。最后將薄膜材料應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、信息存儲(chǔ)、光學(xué)元器件、薄膜太陽(yáng)能等不同領(lǐng)域。
中國(guó)濺射靶材行業(yè)商業(yè)模式
商社代理銷售模式
在濺射靶材領(lǐng)域，商社代理銷售模式是指濺射靶材公司發(fā)展國(guó)際市場(chǎng)與日本最終客戶的合作模式。日本綜合商社，指日本一些掌控該國(guó)大部分進(jìn)出口業(yè)務(wù)的特大型綜合貿(mào)易公司。日本綜合商社多功能模式包括 貿(mào)易代理職能、生產(chǎn)參與職能、金融服務(wù)職能、倉(cāng)儲(chǔ)運(yùn)輸職能、信息咨詢職能、科技開(kāi)發(fā)職能。在國(guó)際市場(chǎng)中，由于濺射靶材國(guó)外頭部企業(yè)主要在日本，日本企業(yè)多采用商社代理銷售模式。業(yè)務(wù)流程為最終客戶首先與綜合商社簽訂采購(gòu)合同，綜合商社再與濺射靶材公司簽訂合同，濺射靶材公司按照合同要求發(fā)貨至綜合商社指定倉(cāng)庫(kù)，由綜合商社向?yàn)R射靶材公司支付貨款。在合作過(guò)程中，綜合商社為終端客戶提供倉(cāng)儲(chǔ)、物流等供應(yīng)鏈管理服務(wù)，并協(xié)助濺射靶材公司對(duì)終端客戶提供技術(shù)服務(wù)。綜合來(lái)說(shuō)，商社代理銷售模式有利于濺射靶材企業(yè)開(kāi)辟國(guó)際市場(chǎng)，全面打通銷售渠道，在國(guó)際市場(chǎng)中處于有利地位。
回收與定制化服務(wù)
全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
靶材需求呈波動(dòng)上升態(tài)勢(shì)
近些年來(lái)，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)，受益于電子與信息等行業(yè)的影響，在半導(dǎo)體、光伏、平板顯示等領(lǐng)域發(fā)揮巨大作用。從2018年開(kāi)始，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期，增速加快，預(yù)計(jì)2023年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)有望突破230億美元。在全球半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)中，得益于半導(dǎo)體行業(yè)的需求增多，半導(dǎo)體靶材增速加快。在2018年至2021年，半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)快速恢復(fù)，雖然從2022年至今，全球芯片領(lǐng)域出現(xiàn)需求波動(dòng)，但隨著各大手機(jī)、平板、筆記本品牌的新品上市，以及供需錯(cuò)配的周期性問(wèn)題的緩解，全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)或?qū)⒕S持增長(zhǎng)趨勢(shì)，2023年底市場(chǎng)規(guī)模有望超過(guò)130億元。
中國(guó)濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
“政策+應(yīng)用”助推行業(yè)發(fā)展
自國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體、光伏產(chǎn)業(yè)的崛起，對(duì)于靶材的需求不斷增加，其中，濺射靶材市場(chǎng)跟隨行業(yè)需求的變化而不斷擴(kuò)大。從2018年開(kāi)始，中國(guó)靶材市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增加，近五年來(lái)的年均復(fù)合增速都維持在5%以上，預(yù)計(jì)我國(guó)靶材市場(chǎng)在2023年底有望迫近450億元。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)家政策的支持下快速發(fā)展，半導(dǎo)體芯片介質(zhì)層、導(dǎo)體層以及保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝，雖然自2022年下半年以來(lái)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)萎靡，但我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求較為穩(wěn)定，半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模仍處增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
光伏與3C消費(fèi)成為有力支撐
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全球?yàn)R射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
國(guó)外頭部企業(yè)占據(jù)較大市場(chǎng)份額
中國(guó)濺射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
本土企業(yè)崛起，彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
我國(guó)濺射靶材企業(yè)起步較晚，前期依賴國(guó)外進(jìn)口，經(jīng)過(guò)國(guó)家相關(guān)政策出臺(tái)，對(duì)濺射靶材產(chǎn)業(yè)進(jìn)行扶持，我國(guó)濺射靶材企業(yè)國(guó)產(chǎn)化速度加快。由于國(guó)外濺射靶材企業(yè)具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)，我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)外資企業(yè)占領(lǐng)較大份額。同時(shí)，我國(guó)本土企業(yè)發(fā)展迅猛，江豐電子與隆華科技位列本土企業(yè)第一，其次是阿石創(chuàng)企業(yè)，本土企業(yè)經(jīng)過(guò)與科研機(jī)構(gòu)緊密合作，打通核心技術(shù)，彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)濺射靶材領(lǐng)域的空白，濺射靶材終端產(chǎn)品供應(yīng)于半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。
中國(guó)濺射靶材行業(yè)政策法規(guī)
國(guó)家政策支持靶材國(guó)產(chǎn)化（1/2)
中國(guó)濺射靶材行業(yè)企業(yè)介紹
日礦金屬（1/2）
JX日礦金屬株式會(huì)社 是JX控股（JXHoldings）子公司，總部位于日本，為東京證券交易所上市公司，主要有三大業(yè)務(wù)：能源、石油天然氣探測(cè)和生產(chǎn)、金屬。業(yè)務(wù)涉及功能材料、薄膜材料、礦石原料、金屬、原料回收等，主要產(chǎn)品有平板顯示器、硬盤驅(qū)動(dòng)器、光伏電池所需的濺射靶材。JX集團(tuán)的靶材業(yè)務(wù)屬于其金屬業(yè)務(wù)的一部分，由JX日礦金屬株式會(huì)社運(yùn)營(yíng)管理。
公司發(fā)展歷程
日礦金屬是一家日本的有色金屬資源開(kāi)發(fā)與開(kāi)采公司，總部位于東京都品川區(qū)。1905年開(kāi)設(shè)日立礦山，1929年成立日本礦業(yè)，2002年成立日礦控股公司，2016年變更為JX金屬，不斷的加深對(duì)金屬以及濺射靶材領(lǐng)域的提升。此外，日礦金屬還在全球范圍內(nèi)開(kāi)展業(yè)務(wù)，未來(lái)預(yù)計(jì)強(qiáng)化半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域的發(fā)展。
江豐電子（1/2）
寧波江豐電子材料股份有限公司 創(chuàng)建于2005年，是一家專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)生產(chǎn)的企業(yè)。目前江豐電子的銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋歐洲、北美及亞洲各地，產(chǎn)品應(yīng)用到多家國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體、平板顯示及太陽(yáng)能電池制造企業(yè)。江豐電子研發(fā)生產(chǎn)的超高純金屬濺射靶材滿足了國(guó)內(nèi)企業(yè)不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)需求，在全球先端技術(shù)超大規(guī)模集成電路制造領(lǐng)域批量應(yīng)用。
公司發(fā)展歷程
江豐電子成立于2005年，研發(fā)第一塊國(guó)產(chǎn)靶材。2010年，在全球范圍內(nèi)形成銷售網(wǎng)絡(luò)。2012年，進(jìn)入液晶平板靶材領(lǐng)域，發(fā)展較好。2017年，江豐電子于深交所上市，企業(yè)實(shí)力增強(qiáng)。2018-2019年，江豐電子相繼在全球以及全國(guó)各處開(kāi)設(shè)分公司。2020年，成立相關(guān)技術(shù)中心，對(duì)于靶材研發(fā)投入更多精力。2021年成立分析檢測(cè)中心，對(duì)于靶材純度擁有更高要求。2022年至今，江豐電子在濺射靶材領(lǐng)域繼續(xù)研發(fā)靶材終端產(chǎn)品。
隆華科技
中國(guó)濺射靶材行業(yè)觀點(diǎn)與分析
濺射靶材行業(yè)的發(fā)展瓶頸
技術(shù)門檻較高影響濺射靶材企業(yè)研發(fā)能力
濺射靶材的下游以電子及信息產(chǎn)業(yè)為主，生產(chǎn)流程中包括材料選擇、制備、成型、燒結(jié)等環(huán)節(jié)，對(duì)于生產(chǎn)工藝、核心技術(shù)、加工設(shè)備等有一定的技術(shù)要求。我國(guó)濺射靶材長(zhǎng)期依賴國(guó)外進(jìn)口，核心技術(shù)受制于國(guó)外頭部企業(yè)掌控，創(chuàng)新能力較弱；國(guó)外頭部企業(yè)掌握核心專利技術(shù)，對(duì)于專利授權(quán)有著嚴(yán)格的要求，而濺射靶材行業(yè)是依靠核心技術(shù)為基準(zhǔn)的行業(yè)，技術(shù)領(lǐng)先是濺射靶材行業(yè)發(fā)展的必要一環(huán)。技術(shù)門檻較高對(duì)于行業(yè)內(nèi)新進(jìn)入的企業(yè)有著一定壓力，特別是濺射靶材新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，時(shí)間長(zhǎng)，建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)高，影響中小型濺射靶材企業(yè)的研發(fā)能力，而頭部企業(yè)憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)掌握核心技術(shù)，研發(fā)能力比中小型企業(yè)較強(qiáng)。
供應(yīng)商認(rèn)證機(jī)制壁壘較高影響行業(yè)企業(yè)發(fā)展
資金投資力度較大影響濺射靶材企業(yè)研發(fā)成本
人才供應(yīng)匱乏影響濺射靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展
促進(jìn)行業(yè)發(fā)展的有利因素
國(guó)家出臺(tái)相關(guān)政策鼓勵(lì)濺射靶材行業(yè)發(fā)展
下游應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展促進(jìn)濺射靶材需求擴(kuò)大
核心技術(shù)突破促進(jìn)濺射靶材產(chǎn)能增加
國(guó)產(chǎn)化速度加快促進(jìn)本土企業(yè)發(fā)展
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